г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIA427ADJ-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIA427ADJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6, P-Channel 8 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Цена
100 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIA427ADJ-T1-GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Vgs (Max)
±5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 4 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
19W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Other Names
SIA427ADJ-T1-GE3DKR,SIA427ADJ-T1-GE3TR,SIA427ADJ-T1-GE3CT,SIA427ADJ-T1-GE3-ND
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6
Base Product Number
SIA427
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 5 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFBC20
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB, N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: B360B-E3/52T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA, Diode Schottky 60 V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: SI7463DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8, P-Channel 40 V 11A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: VSSB410S-M3/52T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA, Diode Schottky 100 V 1.9A (DC) Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: SQD25N15-52_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 150V 25A TO252, N-Channel 150 V 25A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: SI4491EDY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO, P-Channel 30 V 17.3A (Ta) 3.1W (Ta), 6.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее