г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIA471DJ-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIA471DJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAK, P-Channel 30 V 12.9A (Ta), 30.3A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Цена
107 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIA471DJ-T1-GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.9A (Ta), 30.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
+16V, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1170 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Other Names
SIA471DJ-T1-GE3CT,SIA471DJ-T1-GE3TR,SIA471DJ-T1-GE3DKR
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6
Base Product Number
SIA471
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27.8 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF624
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB, N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFPC50A
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3, N-Channel 600 V 11A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFD220PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP, N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: BY228TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64, Diode Avalanche 1500 V 3A Through Hole SOD-64
Подробнее
Артикул: SI7868ADP-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8, N-Channel 20 V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: IRFR420ATRPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK, N-Channel 500 V 3.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее