г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIA906EDJ-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIA906EDJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SIA906EDJ-T1-GE3.jpg
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
7.8W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 10V
FET Feature
Logic Level Gate
Other Names
SIA906EDJT1GE3,SIA906EDJ-T1-GE3DKR,SIA906EDJ-T1-GE3TR,SIA906EDJ-T1-GE3-ND,SIA906EDJ-T1-GE3CT
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Product Number
SIA906
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 10ETF06S
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK, Diode Standard 600 V 10A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: IRL530
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB, N-Channel 100 V 15A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: VS-HFA06TB120SPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK, Diode Standard 1200 V 6A (DC) Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: SIA436DJ-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6, N-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Подробнее
Артикул: SF1600-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1A SOD57, Diode Avalanche 1600 V 1A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: BAV70-HE3-08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 70 V 250mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее