г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIA910EDJ-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIA910EDJ-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Цена
107 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SIA910EDJ-T1-GE3.jpg
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
7.8W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
455pF @ 6V
FET Feature
Logic Level Gate
Other Names
SIA910EDJ-T1-GE3DKR,SIA910EDJ-T1-GE3CT,SIA910EDJ-T1-GE3TR,SIA910EDJT1GE3
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Base Product Number
SIA910
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VS-60APU06-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC, Diode Standard 600 V 60A Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: VS-42CTQ030-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: ESH2PDHM3/84A
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA, Diode Standard 200 V 2A Surface Mount DO-220AA (SMP)
Подробнее
Артикул: S3GHE3_A/I
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB, Diode Standard 400 V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее
Артикул: SI4488DY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO, N-Channel 150 V 3.5A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: SI2303CDS-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3, P-Channel 30 V 2.7A (Tc) 1W (Ta), 2.3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее