SIHG24N65E-GE3 VISHAY
Артикул
SIHG24N65E-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC, N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
692 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIHG24N65E-GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2740 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
500
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
Base Product Number
SIHG24
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут