г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIR460DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIR460DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8, N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
212 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIR460DP-T1-GE3.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2071 pF @ 15 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SIR460DP-T1-GE3TR,SIR460DPT1GE3,SIR460DP-T1-GE3DKR,SIR460DP-T1-GE3CT,SIR460DP-T1-GE3-ND
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIR460
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
5W (Ta), 48W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SIA906EDJ-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Подробнее
Артикул: IRFBC40PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB, N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BZX85B9V1-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41, Zener Diode 9.1 V 1.3 W ±2% Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: SI7478DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8, N-Channel 60 V 15A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: 10ETF04FP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP, Diode Standard 400 V 10A Through Hole TO-220AC Full Pack
Подробнее
Артикул: SIR670DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, N-Channel 60 V 60A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее