г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIR466DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIR466DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8, N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
212 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIR466DP-T1-GE3.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 15 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SIR466DP-T1-GE3TR,SIR466DP-T1-GE3CT,SIR466DPT1GE3,SIR466DP-T1-GE3DKR
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIR466
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
5W (Ta), 54W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFD213
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP, N-Channel 250 V 450mA (Ta) - Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: SIHG24N65E-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC, N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: VS-HFA08TB60S-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK, Diode Standard 600 V 8A (DC) Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: VS-12FR100
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA, Diode Standard, Reverse Polarity 1000 V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Подробнее
Артикул: VS-GT100DA120U
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MOD 1200V 258A 893W SOT227, IGBT Module Trench Single 1200 V 258 A 893 W Chassis Mount SOT-227
Подробнее
Артикул: 50MT060ULS
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MODULE 600V 100A 445W 10MTP, IGBT Module - Single 600 V 100 A 445 W Chassis Mount 10-MTP
Подробнее