SIR664DP-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SIR664DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, N-Channel 60 V 60A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIR664DP-T1-GE3.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1750 pF @ 30 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SIR664DP-T1-GE3TR,SIR664DP-T1-GE3CT,SIR664DP-T1-GE3DKR
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIR664
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут