г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIR880DP-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIR880DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8, N-Channel 80 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
493 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIR880DP-T1-GE3.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2440 pF @ 40 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SIR880DP-T1-GE3TR,SIR880DPT1GE3,SIR880DP-T1-GE3CT,SIR880DP-T1-GE3DKR
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIR880
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SS16-E3/61T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC, Diode Schottky 60 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: SI4800BDY-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO, N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: VS-26MT10
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 3PHASE 100V 25A D-63, Bridge Rectifier Three Phase Standard 100 V QC Terminal D-63
Подробнее
Артикул: VS-60EPU04PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC, Diode Standard 400 V 60A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: UG10DCTHE3/45
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 5A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: SIR410DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8, N-Channel 20 V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее