SIRB40DP-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SIRB40DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Цена
253 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SIRB40DP-T1-GE3.jpg
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
46.2W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4290pF @ 20V
FET Feature
Standard
Other Names
SIRB40DP-T1-GE3CT,SIRB40DP-T1-GE3TR,SIRB40DP-T1-GE3DKR
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual
Base Product Number
SIRB40
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут