г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SIS443DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SIS443DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8, P-Channel 40 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
288 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SIS443DN-T1-GE3.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4370 pF @ 20 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SIS443DN-T1-GE3DKR,SIS443DN-T1-GE3CT,SIS443DN-T1-GE3TR
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SIS443
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VS-100MT160PAPBF
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A 7MTPB, Bridge Rectifier Three Phase Standard 1.6 kV Chassis Mount 7-MTPB
Подробнее
Артикул: VS-40TTS12-M3
Бренд: VISHAY
Описание: SCR 1.2KV 40A TO220AB, SCR 1.2 kV 40 A Standard Recovery Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRF620S
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK, N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: SQJ409EP-T1_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8, P-Channel 40 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: VS-CPV364M4UPBF
Бренд: VISHAY
Описание: IGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2, IGBT Module - 600 V 20 A 63 W Through Hole IMS-2
Подробнее
Артикул: MUR420-E3/73
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD, Diode Standard 200 V 4A Through Hole DO-201AD
Подробнее