г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISA72DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISA72DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8, N-Channel 40 V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SISA72DN-T1-GE3.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 20 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SISA72DN-T1-GE3TR,SISA72DN-T1-GE3DKR,SISA72DN-T1-GE3CT
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SISA72
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SI4463BDY-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO, P-Channel 20 V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: SIR692DP-T1-RE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8, N-Channel 250 V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: IRFIB6N60APBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3, N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 70CRU02
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 35A TO218, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 35A Through Hole TO-218-3, TO-218AC
Подробнее
Артикул: SB330/4
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD, Diode Schottky 30 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: SQ2389ES-T1_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3, P-Channel 40 V 4.1A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее