г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISA72DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISA72DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8, N-Channel 40 V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SISA72DN-T1-GE3.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 20 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SISA72DN-T1-GE3TR,SISA72DN-T1-GE3DKR,SISA72DN-T1-GE3CT
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SISA72
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 20CTQ150
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: VS-MBR1035-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220AC, Diode Schottky 35 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: VS-20ETS12PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC, Diode Standard 1200 V 20A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: SQM40022E_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 40V 150A TO263, N-Channel 40 V 150A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D?Pak)
Подробнее
Артикул: GSIB2580-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A GSIB-5S, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GSIB-5S
Подробнее
Артикул: IRFI640GPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3, N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее