г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SISA72DN-T1-GE3 VISHAY

Артикул
SISA72DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8, N-Channel 40 V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SISA72DN-T1-GE3.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 20 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SISA72DN-T1-GE3TR,SISA72DN-T1-GE3DKR,SISA72DN-T1-GE3CT
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SISA72
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9620PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB, P-Channel 200 V 3.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP360
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3, N-Channel 400 V 23A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SQM120P10_10M1LGE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 120A TO263, P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D?Pak)
Подробнее
Артикул: SI1023X-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 370mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Подробнее
Артикул: VS-42CTQ030-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: VS-26MB100A
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A D-34, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV QC Terminal D-34
Подробнее