SISF06DN-T1-GE3 VISHAY
Артикул
SISF06DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 28A (Ta), 101A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Series
TrenchFET® Gen IV
Power - Max
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
FET Type
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8SCD
Package / Case
PowerPAK® 1212-8SCD
Standard Package
3,000
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
SISF06
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
742-SISF06DN-T1-GE3CT,742-SISF06DN-T1-GE3TR,742-SISF06DN-T1-GE3DKR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2050pF @ 15V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут