г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQ1922EEH-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQ1922EEH-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2N-CH 20V SC70-6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 840mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6
Цена
79 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SQ1922EEH-T1_GE3.jpg
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
1.5W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
FET Feature
Standard
Other Names
SQ1922EEH-T1_GE3TR,SQ1922EEH-T1_GE3DKR,SQ1922EEH-T1_GE3CT,SQ1922EEH-T1_GE3-ND
HTSUS
8541.29.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-70-6
Base Product Number
SQ1922
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF510PBF-BE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB, N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFZ40PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB, N-Channel 60 V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFBF20L
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK, N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK
Подробнее
Артикул: SI1304BDL-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3, N-Channel 30 V 900mA (Tc) 340mW (Ta), 370mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Подробнее
Артикул: VS-8TQ100-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO220AC, Diode Schottky 100 V 8A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: VS-1N5819
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL, Diode Schottky 40 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее