г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQ2361AEES-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQ2361AEES-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23, P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
Цена
110 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SQ2361AEES-T1_GE3.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 30 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SQ2361AEES-T1_GE3DKR,SQ2361AEES-T1-GE3,SQ2361AEES-T1_GE3-ND,SQ2361AEES-T1_GE3TR,SQ2361AEES-T1_GE3CT
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
SQ2361
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Power Dissipation (Max)
2W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N5433
Бренд: VISHAY
Описание: JFET N-CH 25V 0.3W TO-52, JFET N-Channel 25 V 300 mW Through Hole TO-206AC (TO-52)
Подробнее
Артикул: IRFPC60LC
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3, N-Channel 600 V 16A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SIHG47N60E-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC, N-Channel 600 V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRL520
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB, N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFD213
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP, N-Channel 250 V 450mA (Ta) - Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: 8TQ100
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO220AC, Diode Schottky 100 V 8A Through Hole TO-220AC
Подробнее