г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJ407EP-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJ407EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8, P-Channel 30 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
243 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SQJ407EP-T1_GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SQJ407
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SQJ407EP-T1_GE3CT,SQJ407EP-T1_GE3TR,SQJ407EP-T1_GE3DKR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP9240PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3, P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1N5404-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD, Diode Standard 400 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: IRF540STRLPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK, N-Channel 100 V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: B360B-M3/52T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA, Diode Schottky 60 V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: SS3H10-E3/57T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB, Diode Schottky 100 V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее
Артикул: SIHG20N50C-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC, N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее