г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJ459EP-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJ459EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8, P-Channel 60 V 52A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
239 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SQJ459EP-T1_GE3.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4586 pF @ 30 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SQJ459EP-T1_GE3CT,SQJ459EP-T1_GE3DKR,SQJ459EP-T1_GE3TR
HTSUS
8541.29.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SQJ459
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB9N60APBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB, N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 30CPF02
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC, Diode Standard 200 V 30A Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SI7430DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8, N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: SI2323DDS-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23, P-Channel 20 V 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: VS-20ETF04FP-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP, Diode Standard 400 V 20A Through Hole TO-220-2 Full Pack
Подробнее
Артикул: VS-MBR20100CTKPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее