г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJ481EP-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJ481EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8, P-Channel 80 V 16A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SQJ481EP-T1_GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Other Names
SQJ481EP-T1_GE3CT,SQJ481EP-T1_GE3TR,SQJ481EP-T1_GE3DKR
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SQJ481
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SA2B-E3/5AT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC, Diode Standard 100 V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: SI2305CDS-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3, P-Channel 8 V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: SI7178DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8, N-Channel 100 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: SF5408-TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCHE 1000V 3A SOD64, Diode Avalanche 1000 V 3A Through Hole SOD-64
Подробнее
Артикул: SIHP7N60E-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB, N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: VS-11DQ06
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 1.1A DO204AL, Diode Schottky 60 V 1.1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее