г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJ560EP-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJ560EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8, Mosfet Array N and P-Channel 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Цена
243 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SQJ560EP-T1_GE3.jpg
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
34W (Tc)
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
FET Feature
Standard
Other Names
SQJ560EP-T1_GE3DKR,SQJ560EP-T1_GE3TR,SQJ560EP-T1_GE3CT
HTSUS
8541.29.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual
Base Product Number
SQJ560
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HFA08PB120
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO247AC, Diode Standard 1200 V 8A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: VS-10ETS12-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC, Diode Standard 1200 V 10A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: 1N4006/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: GL41YHE3/97
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB, Diode Standard 1600 V 1A Surface Mount DO-213AB
Подробнее
Артикул: B160-E3/61T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC, Diode Schottky 60 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: VS-GBPC3512A
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2 kV QC Terminal GBPC-A
Подробнее