г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJ960EP-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJ960EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2N-CH 60V 8A, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Цена
357 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SQJ960EP-T1_GE3.jpg
Other Names
SQJ960EP-T1-GE3,SQJ960EP-T1_GE3DKR,SQJ960EP-T1-GE3-ND,SQJ960EP-T1_GE3CT,SQJ960EP-T1_GE3TR
Standard Package
3,000
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
735pF @ 25V
FET Feature
Logic Level Gate
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8 Dual
Base Product Number
SQJ960
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Power - Max
34W

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: UF4006-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: IRFD420
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP, N-Channel 500 V 370mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: IRFBE20PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB, N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SI7252DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Подробнее
Артикул: 15TQ060STRL
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK, Diode Schottky 60 V 15A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: IRFD9210
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP, P-Channel 200 V 400mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее