г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJA62EP-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJA62EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, N-Channel 60 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Цена
217 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SQJA62EP-T1_GE3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Other Names
SQJA62EP-T1_GE3CT,SQJA62EP-T1_GE3TR,SQJA62EP-T1_GE3DKR
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SQJA62
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SI7456DP-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8, N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: IRF9510
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB, P-Channel 100 V 4A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SS3H10-E3/9AT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB, Diode Schottky 100 V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее
Артикул: VS-1N1206RA
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA, Diode Standard, Reverse Polarity 600 V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Подробнее
Артикул: 2N4339
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA, JFET N-Channel 50 V 300 mW Through Hole TO-206AA (TO-18)
Подробнее
Артикул: IRFU9024
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA, P-Channel 60 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Подробнее