г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQJQ910EL-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQJQ910EL-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
Цена
436 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/SQJQ910EL-T1_GE3.jpg
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Power - Max
187W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2832pF @ 50V
FET Feature
Standard
Other Names
SQJQ910EL-T1_GE3DKR,SQJQ910EL-T1_GE3-ND,SQJQ910EL-T1_GE3TR,SQJQ910EL-T1_GE3CT
HTSUS
8541.29.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8 Dual
Base Product Number
SQJQ910
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFD9014PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP, P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее
Артикул: V40D45C-M3/I
Бренд: VISHAY
Описание: 40A 45V SMPD TRENCH SKY RECT, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 20A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab) Variant
Подробнее
Артикул: IRFBE30S
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK, N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: TZX3V9C-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35, Zener Diode 3.9 V 500 mW - Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: VS-72HF120M
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO203AB, Diode Standard 1200 V 70A Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5)
Подробнее
Артикул: SI3932DV-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
Подробнее