г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQM40022E_GE3 VISHAY

Артикул
SQM40022E_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 40V 150A TO263, N-Channel 40 V 150A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D?Pak)
Цена
197 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SQM40022E_GE3.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.63mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Standard Package
800
Other Names
SQM40022E_GE3TR,SQM40022E_GE3CT,SQM40022E_GE3DKR
HTSUS
8541.29.0095
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
TO-263 (D?Pak)
Base Product Number
SQM40022
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SI7309DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8, P-Channel 60 V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее
Артикул: SS2H10-E3/52T
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA, Diode Schottky 100 V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: VS-HFA16PB120PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247AC, Diode Standard 1200 V 16A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: SI4431BDY-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO, P-Channel 30 V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IRF840ALPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK, N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Подробнее
Артикул: VS-60EPU06-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC, Diode Standard 600 V 60A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее