г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SQS401EN-T1_GE3 VISHAY

Артикул
SQS401EN-T1_GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8, P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Цена
320 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SQS401EN-T1_GE3.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1875 pF @ 20 V
FET Feature
-
Standard Package
3,000
Other Names
SQS401EN-T1_GE3DKR,SQS401EN-T1_GE3TR,SQS401EN-T1-GE3-ND,SQS401EN-T1_GE3CT,SQS401EN-T1-GE3
HTSUS
8541.29.0095
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SQS401
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
Power Dissipation (Max)
62.5W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SISF06DN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 28A (Ta), 101A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD
Подробнее
Артикул: VS-E4PH6006LHN3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD, Diode Standard 600 V 60A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: PB3010-E3/45
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 1KV 30A PB, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole isoCINK+™ PB
Подробнее
Артикул: 40EPS08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 800V 40A TO247AC, Diode Standard 800 V 40A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: SI2316DS-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3, N-Channel 30 V 2.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: SI7884BDP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8, N-Channel 40 V 58A (Tc) 4.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее