г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SUD19P06-60-E3 VISHAY

Артикул
SUD19P06-60-E3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252, P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
212 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SUD19P06-60-E3.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1710 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
2,000
Other Names
SUD19P06-60-E3CT,SUD19P06-60-E3DKR,SUD19P06-60-E3TR,SUD19P06-60-E3-ND
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-252AA
Base Product Number
SUD19
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: VS-15ETX06S-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB, Diode Standard 600 V 15A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: VS-GBPC3508W
Бренд: VISHAY
Описание: BRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBPC-W
Подробнее
Артикул: IRL640STRRPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK, N-Channel 200 V 17A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: SIZ998BDT-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Подробнее
Артикул: SI6968BEDQ-T1-E3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: SQJ474EP-T1_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8, N-Channel 100 V 26A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее