г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

TP0610K-T1-GE3 VISHAY

Артикул
TP0610K-T1-GE3
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3, P-Channel 60 V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
81 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/TP0610K-T1-GE3.jpg
Other Names
TP0610K-T1-GE3CT,TP0610KT1GE3,TP0610K-T1-GE3-ND,TP0610K-T1-GE3TR,TP0610K-T1-GE3DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
185mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
23 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta)
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Standard Package
3,000
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
TP0610
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 15 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SI7113ADN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK, P-Channel 100 V 10.8A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее
Артикул: SI4920DY-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V - 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: VS-60EPU04PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC, Diode Standard 400 V 60A Through Hole TO-247AC Modified
Подробнее
Артикул: SI3585CDV-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: IRF730PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB, N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: US1MHE3_A/I
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее