г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ZMY3V9-GS18 VISHAY

Артикул
ZMY3V9-GS18
Бренд
VISHAY
Описание
DIODE ZENER 3.9V 1W DO213AB, Zener Diode 3.9 V 1 W ±5% Surface Mount DO-213AB
Цена
20 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Zener - Single, Диоды - диоды Зенера - одиночные
Image
files/ZMY3V9-GS18.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
Other Names
ZMY3V9GS18
Standard Package
10,000
Tolerance
±5%
Power - Max
1 W
Voltage - Zener (Nom) (Vz)
3.9 V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
Automotive, AEC-Q101
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Operating Temperature
175°C
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package
DO-213AB
Base Product Number
ZMY3V9
Impedance (Max) (Zzt)
7 Ohms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BZT55B15-GS08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 15V 500MW SOD80, Zener Diode 15 V 500 mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF
Подробнее
Артикул: BY448TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE AVALANCHE 1500V 2A SOD57, Diode Avalanche 1500 V 2A Through Hole SOD-57
Подробнее
Артикул: IRFP450PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3, N-Channel 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 10ETS08FP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220FP, Diode Standard 800 V 10A Through Hole TO-220AC Full Pack
Подробнее
Артикул: P600M-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 6A P600, Diode Standard 1000 V 6A Through Hole P600
Подробнее
Артикул: IRFD220
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP, N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Подробнее