Аксессуары

IGBT или БТИЗ (по-русски) – это аббревиатура английского Insulated-gate bipolar transistor либо же российского биполярного типа транзистора или триода полупроводникового с изолированным затвором. Само же устройство – это прибор силовой электронного типа с тремя электродами. Его используют преимущественно как электронный с большой мощностью ключ в преобразователе тока или инверторах. Кроме того и в импульсного типа источниках питания. Также такой прибор, как IGBT является незаменимым в АСУ многих электрических приводов.

Появление сборки igbt связано с разработкой транзисторов биполярного типа. Произошло это в начале 80-х годов прошлого века. До этого существовали транзисторы только полевого типа. Разработка транзисторов биполярных с изолированного типа затвором, имеющих структуру плоского типа (исключающую V-канал), а также напряжение несколько выше, чем в полевых, производилась тогда параллельно в нескольких американских лабораториях. Позже новому прибору официально было дано название IGBT.

Сегодня IGBT выпускается промышленностью, как в качестве отдельных приборов, так и специальные модули или сборки, собранные на их основе. Такие сборки чаще всего применяют для осуществления управления электрическими цепями 3-х фазного тока. Также сборка такого типа используется для коммутации тока до 1200А и напряжения – до 3300В. Помимо это сборка IGBT широко используется для управления функционированием тяговых силовых агрегатов.

IGBT триоды полупроводникового типа (транзисторы), устройство, основные принципы работы, а также сферы использования

По своей сути IGBT транзистор – это гибридное устройство, в котором соединены основные качества сразу двух транзисторов: биполярного типа и полевого. Поэтому получился транзистор с лучшими качествами двух видов аналогов.

В результате такого объединения получилось, что транзистор полевого типа во время работы igbt transistora осуществляет руководство полупроводниковым триодом биполярного типа, имеющим значительно большую мощность. А так, как сигнал управления сразу принимает затвор именно полевого, а не биполярного транзистора, переключение нагрузки большой силы можно осуществлять в режиме малой мощности.

Всё устройство транзистора БТИЗ (русскоязычная аббревиатура) – это подключение каскадным методом двух входных электронного типа ключей, управляющих общим плюсом на конце. Дальнейшая работа этого устройства может осуществляться сразу двумя различными путями:

• когда подаётся напряжение P (положительной полярности), между его областью выхода и управляющим электродом (затвором) полевого полупроводникового триода открывается канал;
• заряды после этого начинают движение с этого канала в другую область, которая в свою очередь открывает и триод биполярный;
• вследствие этого электроток начинает проходить от одной ножки транзистора биполярного типа или вывода, именуемого эмиттером, к другому, что называют коллектором.

Как результат, IGBT устройство, помимо управления протеканием напряжения, отличается небольшими потерями будучи открытым и может функционировать при высоких температурных показателях и таких же высоких напряжениях и мощностях. Всё это позволяет использовать его в устройствах частотных приводов регулируемого типа, преобразователях электротока, а также импульсных регуляторах.

Устройство IGBT 1200в. Понятие, основы конструкции и назначение

IGBT 1200в – это название устройства из семейства новых сверхбыстрых, надёжных с высокой эффективностью транзисторов на 1200В. Разработка устройств этого семейства осуществлялась на основе 3G технологии, позволяющей значительно сократить потери при переключениях, а также проводимости, которая необходима для повышения плотности мощности и более эффективной работы на высоких показателях частот.

Одной из особенностей полупроводниковых триодов типа igbt 1200в является оптимизация их для применений, не требующих защиты от всяких неожиданных замыканий (КЗ). В линейке устройств есть триоды в диапазоне токов 20-40А для конструктированых приборов и также до 150А – для кристаллов. Кроме того, положительными факторами этих транзисторов являются также следующие:

• квадратная область безопасной работы;
• коэффициент напряжения температуры с положительными показателями;
• насыщение выводов коллектор и эмиттеров.

Новые триоды IGBT в основном применяют при осуществлении индукционного метода нагрева, в схемах источников или элементов питания постоянного или бесперебойного типа (USB), сварочных устройств и аппаратов, а вместе с ними и солнечных батарей.

Полупроводники силового типа и IGBT. Особенности конструкции, назначение и применение

Модули Fuji Electric IGBT разработаны и изготовлены специально с целью применения их в качестве коммутационных элементов для преобразователей силового типа частотно-регулировочных приводов, применяемых в двигателях, ИБП и др. IGBT – это полупроводниковое устройство, объединившее в себе переключение с высокой скоростью силового MOSFET с возможностями работать с высоким напряжением и сильным током транзистора биполярного типа.

Само понятие «полупроводник» – это вещество, что выплывает из самого названия и характеризуется тем, что легко «пропускает» электрику. В то же время оно работает, как «изолятор», предотвращая поток электрики.

Использование полупроводников даёт возможность выполнять «выпрямление» потока электрики одного направления, «увеличения» для увеличения электрических сигналов и «переключения» для открывания и закрывания потока электрики.   

Полупроводники силового типа в состоянии выдержать высокие напряжения и высокие токи. Таковыми являются и power igbt полупроводники. Они имеют структуру отличную от обычных полупроводников. А это даёт им возможность выдерживать высокие токи и напряжения без повреждений. Сбои в работе могут возникать разве что через повышение температуры через тепло, которое выделяется во время использования большой мощности.

Полупроводники power в основном используются для превращения электроэнергии. Это может быть смена напряжения или частоты, а также изменение переменного тока на постоянный и наоборот. 

Импульсный блок питания на IGBT транзисторах. Принцип устройства, преимущества и недостатки

Блоки питания сегодня являются основной любого производства и основным его оборудованием. Наиболее популярными сегодня являются лабораторного типа блоки питания. Это устройства, преобразующие переменное AC напряжение в постоянное DC и одновременное осуществляющее регулировку основных параметров постоянного электропитания (силу тока, напряжение).

Подразделяются блоки питания лабораторного типа по различным критериям, наиболее популярным из которых является деление по виду, типу или форме конструкции. По этому параметру лабораторные источники питания разделяются на линейные и импульсные. Линейные ещё могут называться также и трансформаторными. Традиционным типом конечно является линейный, однако в наше время всё же большинство за импульсными. Они в свою очередь подразделяются в зависимости от уровня генерации импульсов – на однотактные схемы и двухтактные. При этом оба этих типа строятся с учётом полевых либо же биполярных полупроводниковых триодов. Сегодня в современных схемах наибольшую популярность имеют всё же транзисторы IGBT или MOSFET.

Принцип работы блока питания igbt очень простой: сначала выпрямляется входное напряжение, которое потом превращается в импульсы повышенной частоты и с нужной скважностью. 

Дальше импульсы передаются на трансформатор, где напряжение уменьшается к необходимому уровню и дальше осуществляется её стабилизация в импульсном блоке питания.