г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

dmb smd транзистор, особенности

Перейти в каталог

Есть вопросы ? Напишите нам.

Транзисторы SMD представляют собой полупроводниковые компоненты для поверхностного монтажа с контактами, предназначенными для пайки к интегральной плате.

Особенности и разновидности SMD транзисторов

Любой тип транзистора может быть установлен как SMD, но наиболее распространенная конфигурация SMD-транзистора называется транзистором с биполярным переходом. 

У данного типа транзисторов есть один несущественный недостаток – микроскопические паянные контакты очень ломкие. Установка биполярного SMD компонента, такого как транзистор smd l6, является достаточно тонкой процедурой, поскольку сам компонент предельно хрупкий и подвержен повреждению при пайке. Для правильной установки и корректной работы три клеммы SMD-транзистора припаиваются по очереди с достаточными временными промежутками между пайкой во избежание перегрева полупроводника. 

Alt: Транзисторы SMD

Однако, меньшая конечная себестоимость плат, в которых используются SMD транзисторы, а также ряд других их достоинств существенно компенсируют указанный недостаток. Альтернативой SMD-транзисторам являются вставные модификации, устанавливающиеся в отверстия микросхемы металлическими штырями. Сверление миниатюрных входных отверстий на плате – процесс достаточно трудоемкий, в итоге готовые схемы существенно дороже тех, которые выполнены с SMD технологией поверхностного монтажа.

В биполярных транзисторах с эмиттером, коллектором и базой в качестве контактных выводов, электрический сигнал проходит через два положительно-отрицательных затвора. Существует два типа таких SMD транзисторов: положительно-отрицательно-положительные PNP и отрицательно-положительно-отрицательные NPN. 

Еще одна популярная конфигурация SMD-транзистора — транзисторы MOSFET, или так называемые МОП-транзисторы, выполненные на основе оксида металла и полупроводника. Они бывают положительными либо отрицательными и состоят из входа и выхода одного и того же заряда. Остальная часть корпуса транзистора имеет противоположный заряд. 

Одним из таких компонентов является транзистор smd 3407 (см. фото). Это P-канальный полевой транзистор MOSFET режима расширения в пластиковом корпусе SOT-23. 

Alt: Транзистор SMD 3407

Он имеет конструкции с высокой плотностью ячеек для чрезвычайно низкого RDS (on), а также характерен исключительным сопротивлением во включенном состоянии и максимальным током постоянного тока. 

Его основные характеристики:

  1. Переключение нагрузки/мощности. 
  2. Интерфейсное переключение. 
  3. Напряжение коллектор-эмиттер: -30 В.
  4. Напряжение база-эмиттер: ±20 В.
  5. Идентификатор непрерывного тока коллектора: -4,1 А.
  6. Рассеиваемая мощность: 350 мВт.
  7. Температура перехода: 150 ℃.
  8. Температура хранения: от -50 до +150 ℃.
  9. Термическое сопротивление от перехода к окружающей среде: 357 /Вт.

Полупроводники являются самым важным элементом SMD-транзистора. Полупроводниковый материал проводит только часть подаваемого через него тока, что обеспечивает возможность применения SMD-транзистора в качестве переключающего или усиливающего устройства. 

Наибольшее применение SMD компоненты получили как усилители электрических сигналов, которые входят в транзистор в одной точке и проходят через барьер в среднюю часть, где вход подвергается электрическому заряду. Усиленные сигналы уходят через третью секцию. Транзисторы SMD могут усиливать входной сигнал в несколько сотен раз. 

Еще один вариант применения – в качестве линейного регулятора напряжения. Устройством такого типа, служит, например, smd транзистор h1a, отличающийся низким падением напряжения.

Особенности маркировки SMD транзисторов

Большинство полупроводниковых компонентов SMD отличаются чрезвычайно маленькими размерами, что делает невозможным нанесение на корпус полного наименования транзистора, несущего информацию про тип, конфигурацию, производителя. 

Чтобы унифицировать и упростить процесс идентификации устройства была сформирована определенная система 2-3-значного буквенно-цифрового кодирования и создан соответствующий каталог, содержащий более 3500 наименований. Для определения конкретного транзистора SMD, нужно обозначение, напечатанное на устройстве, найти в алфавитном перечне каталога.

Тем не менее, задача идентификации номера, параметров, производителя, эквивалентов и информации о распиновке устройства SMD все равно остается достаточно трудоемким процессом, поскольку многие коды не уникальны и под одним и тем же обозначением может скрываться несколько конфигураций абсолютно разных устройств.

Так, к примеру, существует несколько вариантов устройств, обозначающихся одинаковым идентификатором smd транзисторы t04:

  • BZX84-A11 – smd транзистор-стабилитрон на 300 мВ с диодами регулятора напряжения от ТМ Philips;
  • PMSS3904 — биполярный NPN транзистор 60 В, 100 мА, 200 мВ от ТМ Philips;
  • 74HCT1G04GV — высокоскоростное Si-gate CMOS устройство от ТМ Philips, обеспечивающее инвертирующий буфер.

Alt: SMD транзистор T04

Кроме того, кодом T04 также обозначается устройство NC7ST04: инвертор с TTL-совместимыми входами серии TinyLogic от ТМ Fairchild Semiconductorc, одиночная высокопроизводительная логическая CMOS-матрица. Ее усовершенствованный кремний и изготовление Gate CMOS обеспечивает высокую скорость и низкое энергопотребление работы схемы. Диоды защиты от электростатического разряда по своей сути защищают как вход, так и выход относительно VCC и GND рельсы. Схема с высоким коэффициентом усиления обеспечивает высокую помехоустойчивость и пониженную чувствительность к частоте входных фронтов. 

Еще один пример одного общего кода для нескольких типов компонентов — smd транзистор 5cw. Под этими тремя символами может скрываться одна из трех модификаций низковольтных биполярных PNP-транзисторов общего назначения с высокими значениями тока, применяемых для переключения или усиления: BC807 корпусе SOT23), BC807W корпусе SOT323) и BC327 (версия SOT54 с односторонним выводом и сквозным отверстием).