SMD транзистор N

Развитие полупроводниковых технологий достигло своего апогея, 99,99% электронных устройств имеют в своих схемах радиоэлектронные компоненты — транзисторы. Это дискретные электронные приборы с тремя выводами, способные усиливать, генерировать, коммутировать и преобразовывать электрические сигналы. В семействе транзисторов объединены два больших класса полупроводниковых устройств, различающихся по структуре, параметрам и принципу действия. Биполярные Y2 SMD транзисторы имеют полупроводники с различными типами проводимости. Принцип работы прибора заключается во взаимодействии P-N переходов, расположенных на кристалле. Управление осуществляет посредством изменения тока через база-эмиттерный переход. Примером дискретного полупроводника Y2 SMD является биполярный одиночный транзистор 558550 с PNP- структурой, в корпусе SOT23. Компонент предназначен для линейных и ключевых схем, востребован в аппаратуре общего приложения.

Транзисторы для поверхностного монтажа

Транзистор построен на полупроводнике одного типа проводимости электронной N или дырочной P. Принцип работы состоит в воздействии электрического поля затвора на тонкий канал. 

SMD транзистор — это компонент в специальном пластиковом корпусе SOT23, предназначенный для поверхностного монтажа на электронную плату. Имеет прямоугольную форму, визуально представляет собой миниатюрный параллелепипед с бессвинцовым припоем на краях и торцах элемента. 

Все разнообразие типов транзисторов применяются со следующими целями:

1. Радиоэлектронный компонент используется для усиления электрической нагрузки путем регулирования сопротивления внутри элемента.
2. Дискретный полупроводник служит токоограничивающим элементом за счет правильного подбора советующего сопротивления для питающей нагрузки.
3. Транзистор обеспечивает потенциал оперативного изменения сопротивления затвора посредством регулировки входного напряжения управляющей цепи. 

12W SMD транзистор разработан по прогрессивной технологии DMOS для использования в слаботочных цепях. Сила постоянного тока не должна превышать 400мА, а импульсного может варьировать в интервале до 2А. Дискретный полупроводник нашел широкое применение в схемах силовых драйверов и управления сервоприводом. Транзистор 2N7002 предназначен для поверхностного монтажа, поэтому упакован в пластиковый SMD корпус СОТ23. В нижней части компонента расположен затвор 1G (слева) и исток 2S (справа), верхняя часть оснащена контакт стока 3D. Транзистор выпускается многими зарубежными производителями, поэтому маркировка прибора разная: 7002, 12W, 7200 или 702 SMD транзистор. Несмотря на это, основные параметры полупроводника аналогичны.

W1P SMD транзистор или 2N2222 относится к классу биполярных устройств со структурой – P - N – P. Электронный ключ изготавливается в корпусе СОТ23, предназначен для поверхностного монтажа

1G SMD транзистор или C847C — представитель семейства биполярных приборов со структурой N-P-N. Компонент произведен корейской полупроводниковой компанией КЕС. Транзистор упакован в корпус SOT-23, на поверхность которого нанесена маркировка устройства — 1G. Транзистор эксплуатируется при напряжении в цепях: коллектор-база 45 В, коллектор-эмиттер 50 В и эмиттер-база 6 В, допустимый ток составляет 100мА, наибольшая рассеиваемая мощность прибора — 250 мВт. Коэффициент усиления варьирует в диапазоне 420 – 800.

Особенности SMD технологии

Компоненты в SMD корпусе пользуются неограниченной популярностью за счет миниатюрных размеров и простого монтажа. Габариты транзисторов SMD в несколько раз меньше обычных дискретных полупроводников, что позволяет максимально экономить место на плате. Процесс монтажа устройства не затруднит даже начинающего электронщика. Для пайки транзисторов SMD необходимо иметь микроскоп и пинцет — значительно упростит и ускорит процесс установки детали на плату. Кроме того, важно запастись различными флюсами и паяльными жирами с BGA-пастой. 

Несколько шагов монтажа транзистора на плату:

• лужение контактных площадок полупроводника и платы, без излишнего перегрева; 
• установка изделия на место при помощи пинцета;
• припаивание одной из ножек;
• аккуратно позиционировать транзистор в правильном положении;
• пайка остальных ножек радиоэлемента.

Полупроводниковые приборы начали упаковывать в пластиковые корпуса более пятидесяти лет назад. Инновационное изобретение произвело техническую революцию в области полупроводниковых технологий. Производители триодов смогли значительно уменьшить размеры приборов и увеличить скорости, не снижая надежности и устойчивости системы, а также заметно расширили функционал транзистора. Это прогрессивное решение со временем получило широчайшее распространение. Причиной отсутствия мгновенного успеха, стало низкое применение технологий поверхностного монтажа. В 90-х годах ХХ века после открытия ряда полупроводниковых технологий, метод установки компонентов был усовершенствован, а трехвыводной корпус SOT-23 взят за основу. Несмотря на то, что внешне устройство не видоизменялось, внутри оно претерпело солидные модификации. Появился пяти контактная версия и бессвинцовый вариант, расширен температурный диапазон до +175°С. В настоящее время, когда предъявляются повышенные требования к плотности монтажа, разработаны более совершенные корпуса SOT223 и SOT323, но они имеют много общего с классическим SOT-23.