Транзистор SOT23

Первые полупроводники в пластиковом корпусе были разработаны в 1969 году. При небольших размерах они устанавливались на поверхность, в противовес ранее применяемым конструкциям с креплением через отверстия. Первые зарисовки корпуса, которому вскоре предстоит стать наиболее востребованным, принадлежат Пит ван-де Уотеру, выполнены в 1966 году. Через два года была разработана пилотная версия и через год первый полупроводник в пластиковом корпусе SOT23 сошел с конвейера. 

Технология поверхностного монтажа полупроводниковых SMD компонентов 

Термин SOT образован от первых букв выражения small outline transistor, которое переводится, как малогабаритный транзистор. Стоит отметить, что транзисторы – это не единственные полупроводники, которые запекаются в корпуса SOT23, они применяются для диодов, стабилитронов и даже готовых интегральных схем.

SOT23 представлял собой корпус с размерами 2,9 х 1,3 х 1,0 мм на три вывода, был использован для замены O-18 и TO-92. Первоначально он не получил должную оценку, что объясняется отсутствием спроса на компактные полупроводники для поверхностного монтажа. Рост популярности наметился в 90-х и связан с востребованностью небольших электронных бытовых приборов различного назначения. Несмотря на огромный скачок, который сделала электроника в последние годы, спрос на SOT23 не угасает. Постепенно было разработано целое семейство компактных дискретных транзисторов на SOT-23.

Преимущества использования поверхностного монтажа и SMD компонентов:

1. Транзисторы и другие элементы SMD обладают более малыми габаритами, чем DIP-приборы для навесного монтажа.
2. Экономия места на печатной плате за счет миниатюрных размеров SMD компонентов и высокой плотности их размещения.
3. Компактность расположения дорожек на пластине.
4. Возможность осуществления монтажа с обеих сторон платы.
5. Беспроблемное автоматическое устранение искажений при SMT монтаже за счет поверхностного натяжения расплавленного припоя.
6. Стабильная виброустойчивость.
7. Сверх малое сопротивление и индуктивность.
8. Отсутствие необходимости в сверлении отверстий сокращает время изготовления платы, что обеспечивает экономический эффект.
9. Наиболее приемлемый для автоматизированной сборки. 
10. SMD компоненты ниже по стоимости в сравнении с DIP-элементами.
11. Востребованы в низких устройствах, высотой всего несколько миллиметров.

Позднее производители постарались без критичного изменения размеров, увеличить количество выводов до 5 и 6, таким образом семейство пополнилось SOT 23-5 и SOT 23-6. Некоторые производители, в противовес данным версиям применяют термин SOT23 3 транзистор, чтобы подчеркнуть наличие 3 выводов. 

Небольшие размеры корпуса не позволяют производителям нанести на поверхность полную маркировку полупроводника. Чтобы как-то  упростить труд радиолюбителей и дать возможность быстрее разобраться в микросхеме, они остановились на условном обозначении – кодах. Таким образом на корпусах можно увидеть нанесенные шифры от 2 до 4 букв и цифр. Единого стандарта не существует, каждый из производителей выполняет маркировку согласно принятым на предприятии стандартам, это может стать причиной путаницы. Например, А4С транзистор SOT23. Правильно идентифицировать транзистор помогут специальные массивы данных – даташиты. Достаточно в строку поиска внести первые два знака – А4 и перейти по ссылке.

Трудность идентификации заключается в том, что помимо транзисторов в корпусе SOT23 компания Infineon выпускает диоды.

A091 транзистор SOT23 — это МОП–полупроводник с тремя выводами N-канального типа, выполненный по технологии МОСФЕТ, с высокой плотностью ячеек, которые обеспечивают превосходное сопротивление во включенном состоянии. Компонент эффективен в коммутациях малой мощности для переключения нагрузки. Транзистор обладает высоким техническим потенциалом, соответствует требованиям RoHS, отличается безупречной надежностью и долговечностью.

Особенности A091:

• прогрессивная траншейная технология, обеспечивающая высокую плотность ячеек;
• минимальный заряд затвора;
• идеальное уменьшение динамических воздействий;
• экологическое исполнение.

Широкие возможности транзистора обеспечиваются его прекрасными техническими характеристиками. Максимальное напряжение в цепи сток–исток составляет 30 В, а наибольший ток 5.8 А. Предельно допустимое напряжение в цепи затвор–исток равняется 12 В. Максимальная рассеиваемая мощность 1,4 Вт. Полупроводник запекается в корпус SOT-23 третьего поколения.

СМД транзистор Y2 SOT23 — это электронный триод PNP-типа SS8550 под кодовой маркировкой Y2, относящийся к классу биполярных приборов. Одиночный транзистор востребован в узлах и блоках аппаратуры широкого применения, в частности, в ключевых и линейных схемах усилителей низкой частоты. Технико-эксплуатационные параметры прибора выражаются в предельном напряжении цепей коллектор–база 40 В, коллектор–эмиттер 25 В и эмиттер–база 5 В, максимальном постоянном токе коллектора 1,5 А и мощности рассеивания 0,3 Вт. Транзистор предназначен для поверхностного монтажа SMT на печатные платы, выпускается в стандартном корпусе SOT23.

Транзистор 1AM SOT23 MMBT3904 входит в семейство биполярных приборов NPN-типа. Устройство в качестве SMD компонента обычно используют в различных электронных схемах. Транзистор изготавливается из полупроводникового материала — кремния. Наибольшее напряжение: коллектор–база 60 В, коллектор–эмиттер 40 В, эмиттер–база 6 В. Предельно допустимый постоянный ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеяния 0,2 Вт. Транзистор монтируется на печатную плату по SMT технологии, запекается в стандартный корпус SOT23.