усилитель полевые транзисторы купить

Полевой транзистор, или FET (Field Effect Transistor) — это активный радиоэлектронный компонент, который преимущественно применяется для усиления слабых (например, беспроводных) сигналов аналогового или цифрового типа. Иногда FET применяются для переключения постоянного тока либо используются в качестве генератора.

Как работают полевые транзисторы

В FET ток течет по полупроводниковому пути, называемому каналом. На одном конце канала находится электрод, называемый источник (эмиттер), а на другом его конце расположен электрод, называемый сток (коллектор). Физический диаметр канала фиксирован, но его эффективный электрический диаметр можно изменять, прикладывая напряжение к главной клемме, которая называется затвор (база). 

Проводимость FET зависит в любой момент времени от электрического диаметра канала. Небольшое изменение напряжения на базе может вызвать большое изменение тока от эмиттера к коллектору. Таким образом FET усиливает значения тока и мощности, как, например, полевой транзистор КП307, купить который можно в специализированных магазинах.

Типы FET

Полевые транзисторы конструктивно и функционально представлены в двух основных классификациях: 

• переходные (JFET);
• металло-оксидно-полупроводниковые МОП (или MOSFET).

Полевой транзистор перехода имеет канал, состоящий из полупроводникового материала N-типа (N-канальный) или P-типа (P-канальный). База изготавливается из противоположного полупроводника. В материале P-типа электрические заряды переносятся преимущественно в качестве дефицита электронов, называемого дырками. В материале N-типа заряд переносят электроны. 

В JFET соединение является границей между каналом и базой. Чаще всего этот PN-переход характеризуется обратным смещением (на него подается постоянное напряжение), так что ток между каналом и базой не течет. Однако при некоторых условиях через переход протекает небольшой ток в течение части цикла входного сигнала.

В МОП-транзисторах канал может быть полупроводником N-типа или P-типа. Выводной контакт базы представляет собой кусок металла, поверхность которого окислена. Оксидный слой электрически изолирует затвор от канала. 

Поскольку оксидный слой действует как диэлектрик, между затвором и каналом практически никогда не протекает ток в любой части цикла сигнала. Это дает MOSFET чрезвычайно большой входной импеданс. 

Так как оксидный слой очень тонкий, полевой МОП-транзистор подвержен разрушению электростатическими зарядами. Особые меры предосторожности необходимы при обращении или транспортировке МОП-транзисторов.

Если нужен MOSFET для высокоскоростного переключения питания, можно купить полевой транзистор 2SK1303 — кремниевый N-канальный МОП-транзистор от ТМ Hitachi. Он отличается ничтожно малым сопротивлением во включенном состоянии, отличается высокой скоростью переключения и низким управляющим током. Устройство управления затвором 4 В. Может питаться от источника 5 В. Подходит для моторного привода, преобразователя постоянного тока, силового выключателя и соленоидного привода.

Достоинства и слабые стороны FET

Полевые транзисторы имеют ряд преимуществ, но и некоторые недостатки в сравнении с биполярными типами триодных компонентов. FET предпочтительны для работы со слабыми сигналами, например, в беспроводной связи и радиовещательных приемниках. Они также хорошо подходят для схем, требующих большого импеданса. FET редко применяются для усиления большой мощности, как это требуется в больших беспроводных коммуникационных и широковещательных передатчиках.

Полевые транзисторы в основном выполнены на кремниевых микросхемах. Одна плата может содержать тысячи FET и многих других микроскопических активных и пассивных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы и диоды.

Силовые МОП-транзисторы HEXFET 

Чтобы увидеть преимущества современных методов обработки для получения предельно минимального сопротивления во включенном состоянии на единицу площади кремния, достаточно купить полевой транзистор IRF9Z34N с полностью лавинным рейтингом – Р-канальный силовой MOSFET типа HEXFET пятого поколения от International Rectifier.

Другие его преимущества — высокая скорость переключения, прочная конструкция устройства и температура эксплуатации до 175°С. Эти характеристики обеспечивают мощность HEXFET и делают его высокоэффективным и надежным компонентом для использования в самых разных приложениях.

Тип корпуса TO-220 является предпочтительным для всех коммерческо-промышленных приложений при рассеиваемой мощности, достигающей примерно 50 Вт. Низкая тепловая стойкость и низкая стоимость упаковки ТО-220 способствуют его широкому распространению в передовых технологических процессах во всем мире. 

На рисунке ниже показан еще один вариант МОП-устройства серии HEXFET – усовершенствованный бессвинцовый, быстро переключающий, со сверхнизким сопротивлением во включенном состоянии полевой транзистор IRFZ44N, купить который целесообразно для эффективного применения в самых разных силовых приложениях.

Также можно купить полевой транзистор IRF7319 в корпусе SO-8, который был модифицирован с помощью индивидуальной выводной рамы для улучшенных тепловых характеристик и возможности использования нескольких штампов, что делает его идеальным для различных силовых приложений. Благодаря этим улучшениям несколько устройств могут использоваться с резко уменьшенным пространством на плате. Выводы данного транзистора предназначены для парофазного, инфракрасного или волнового метода пайки.