D8751H Advanced Micro Devices

Артикул

D8751H

Бренд

Advanced Micro Devices

Описание

8-BIT, UVPROM, 8051 CPU, 8051 series Microcontroller IC 8-Bit 12MHz 4KB (4K x 8) EPROM 40-CDIP

Цена

2 940 руб.

Теги

Integrated Circuits (ICs), Интегральные микросхемы (ИМС), Embedded - Microcontrollers, Встраиваемые - Микроконтроллеры

Image

files/D8751H.jpg

Core Processor

8051

Core Size

8-Bit

Speed

12MHz

Connectivity

UART/USART

Peripherals

Number of I/O

Program Memory Size

4KB (4K x 8)

Program Memory Type

EPROM

EEPROM Size

RAM Size

128 x 8

Voltage - Supply (Vcc/Vdd)

4.5V ~ 5.5V

Data Converters

Supplier Device Package

40-CDIP

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Series

Package

Bulk

Part Status

Obsolete

Operating Temperature

0°C ~ 70°C (TA)

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

40-CDIP

RoHS Status

RoHS non-compliant

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.31.0001

Other Names

2156-D8751H,AMDAMDD8751H

Standard Package

REACH Status

Vendor Undefined

Oscillator Type

External, Internal

Узнайте актуальную цену

Оставьте свой E-mail и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: CS5535-UDC

Бренд: Advanced Micro Devices

Описание:

GEODE CS5535 COMPANION DEVICE, Companion Device 208-PBGA (23x23)

Подробнее

Артикул: AM29F016D-150E4C

Бренд: Advanced Micro Devices

Описание: IC FLASH 16MBIT PARALLEL 40TSOP, FLASH - Boot Block Memory IC 16Mb (2M x 8) Parallel 90 ns 40-TSOP

Подробнее

Артикул: AM7202A-50JC

Бренд: Advanced Micro Devices

Описание:

FIFO, 1KX9, 50NS, ASYNCHRONOUS, Asynchronous FIFO 1K x Модель AM7202A 50JC имеет полное название - Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs – Arrays Mosfet Array 2 N-Channel (Dual). Это согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 8-PDIP. Семейство МОП-транзисторов с подобранной парой. Предназначенный для применения при низком напряжении и малом сигнале, ALD110800/ALD110900 имеет нулевое пороговое напряжение, которое снижает или устраняет изменение уровня входного и выходного напряжения.
Основные технические особенности
1) Упаковка / кейс - 8-DIP (0,300 ", 7,62 мм).
2) Тип полевого транзистора – N-канала (двойной).
3) Функция Fet – Стандарт.
4) Напряжение от стока к источнику (vdss) - 10,6 В.
5) Vgs (th) (max) @ Id - 10 мВ при 1 мкА.
6) Максимальная мощность - 500 МВт.
7) Тип монтажа - Сквозное отверстие.
8) Минимальная рабочая температура - 0 C.
9) Конфигурация – Двойной.
10) Полярность транзистора - N-канал.
11) Сопротивление стока-источника Rds (включено) - 500 Ohm (Typ) @ 4 V.
12) Коэффициент прямой транспроводимости Gfs (макс. / мин.) - 0,0014 С.
13) Напряжение пробоя стока-источника - 10,6 В.
14) Напряжение пробоя затвора-источника - 10,6 В.
15) Постоянный ток утечки - 12 мА.
16) Рассеиваемая мощность - 500 МВт.
17) Максимальная рабочая температура – составляет 70 C.
18) Способ монтажа - Сквозное отверстие.
19) Не содержит свинца - статус RoHS.9 Uni-Directional 15.3MHz 50ns 32-PLCC (13.97x11.43)