г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

Ampleon

Есть вопросы? Напишите нам.

Каталог товаров
Артикул
Описание
1Артикул:BLM2425M7S60PY
Описание:IC RF AMP 2.4GHZ 16HSOPF, RF Amplifier IC - 2.4GHz ~ 2.5GHz 16-HSOPF
6 635 руб.
2Артикул:BLF1043
Описание:

RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F, RF Mosfet LDMOS 26 V 85 mA 1GHz 18.5dB 10W 2-CSMD

8 956 руб.
3Артикул:BLF1046
Описание:

RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F, RF Mosfet LDMOS 26 V 300 mA 1GHz 14dB 45W SOT467C

11 643 руб.
4Артикул:BLF989EU
Описание:BLF989E/SOT539/TRAY, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50 V 600 mA 470MHz ~ 700MHz 20dB 1000W SOT539A
38 347 руб.
5Артикул:BLF177R
Описание:HF/VHF POWER VDMOS TRANSISTOR (, RF Mosfet N-Channel 50 V 700 mA 108MHz 19dB 150W SOT121B
12 413 руб.
6Артикул:BLP15M9S70GZ
Описание:BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32 V 200 mA 1.3GHz 23.5dB 70W SOT1483-1
3 517 руб.
7Артикул:BLF978PU
Описание:BLF978P/SOT539/TRAY, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50 V 50 mA 700MHz 24.5dB 1200W SOT539A
45 189 руб.
8Артикул:TM-100
Описание:TM-100 - 100W BROADBAND RF POWER, RF Mosfet GaN HEMT 100W
37 891 руб.
9Артикул:BLF278
Описание:RF PFET, 2-ELEMENT, VERY HIGH FR, Bipolar (BJT) Transistor
25 374 руб.
10Артикул:BLF3G21-30
Описание:

RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F, Bipolar (BJT) Transistor

14 868 руб.
11Артикул:CLF1G0035-50
Описание:

CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 150 mA 3GHz 11.5dB 50W SOT467C

26 375 руб.
12Артикул:CLF1G0060-10
Описание:CLF1G0060-10 - 10W BROADBAND RF, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 50 mA 6GHz 16dB 10W SOT1227B
14 699 руб.
13Артикул:BLF546
Описание:RF PFET, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH F, RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 28 V 160 mA 500MHz 13dB 80W CDFM4
26 807 руб.
14Артикул:BLP15M9S100GZ
Описание:BLP15M9S100G/SOT1483/REELDP, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32 V 900 mA 1.4GHz 18dB 100W SOT1483-1
3 643 руб.
15Артикул:CLF1G0060-30
Описание:

CLF1G0060-30 - 30W BROADBAND RF, RF Mosfet GaN HEMT 50 V 70 mA 3GHz ~ 3.5GHz 13dB 30W CDFM2

21 225 руб.
16Артикул:BLP9LA25SGZ
Описание:BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP, RF Mosfet LDMOS 1MHz ~ 941MHz 18.4dB 25W SOT1483-1
2 952 руб.
17Артикул:ART35FEU
Описание:ART35FE/SOT467/TRAY, RF Mosfet LDMOS 65 V 20 mA 1MHz ~ 650MHz 31dB 35W SOT467C
18 765 руб.
18Артикул:ART1K6PHZ
Описание:ART1K6PH/OMP1230/TRAYDP, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 55 V 50 mA 1MHz ~ 450MHz 27.4dB 1600W OMP-1230-4G-1
34 336 руб.
19Артикул:BLM10D1822-61ABGZ
Описание:BLM10D1822-61ABG/OMP400/TRAYDP, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28 V 108 mA 1.8GHz ~ 2.2GHz 28.5dB 48.3dBm OMP-400-8G-1
5 913 руб.
20Артикул:ART2K0PEZ
Описание:ART2K0PE/OMP1230/TRAYDP, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 65 V 100 mA 400MHz 27.4dB 2000W OMP-1230-4F-1
34 336 руб.
21Артикул:BLP15H9S100Z
Описание:BLP15H9S100/SOT1482/REELDP, RF Mosfet LDMOS 50 V 30 mA 1.5GHz 19dB 100W SOT-1482-1
3 643 руб.
22Артикул:BLP15M9S30Z
Описание:BLP15M9S30/SOT1482/REELDP, RF Mosfet
3 603 руб.
23Артикул:BLP15M9S30GZ
Описание:BLP15M9S30G/SOT1483/REELDP, RF Mosfet
3 603 руб.
24Артикул:BLF7G10LS-250
Описание:RF FET LDMOS 250W SOT502B, RF Mosfet LDMOS 30 V 1.8 A 869MHz ~ 960MHz 19.5dB 250W SOT502B
25Артикул:ART700FHU
Описание:ART700FHU/SOT1214/TRAY, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 55 V 25 mA 1MHz ~ 450MHz 28.6dB 700W SOT1214A
28 695 руб.
26Артикул:BLC10G27XS-400AVTZ
Описание:BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAY, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28 V 750 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 13.3dB 400W SOT1258-4
15 226 руб.
27Артикул:C4H2350N05Z
Описание:C4H2350N05Z/DFN-4.5X4-6-1/REELDP, RF Mosfet GaN 48 V 10 mA 2.3GHz ~ 5GHz 4.6dB 1.3W 6-DFN (4.5x4)
1 135 руб.
28Артикул:BLF7G24LS-100
Описание:

RF FET LDMOS 100W SOT502B, RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 18dB 100W SOT502B

29Артикул:BLF8G19LS-170BV
Описание:RF FET LDMOS 170W SOT1120, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 32 V 1.3 A 1.8GHz ~ 1.99GHz 18dB 170W LDMOST
30Артикул:BLM7G1822S-20PBG
Описание:RF FET LDMOS 65V SOT1212, RF Mosfet LDMOS (Dual) 28 V 76 mA 1.805GHz ~ 2.17GHz 32.3dB - 16-HSOP
31Артикул:CLF1G0035S-200P
Описание:CLF1G0035S-200 - 200W BROADBAND, RF Mosfet
84 664 руб.
32Артикул:BLA9H0912LS-700GU
Описание:BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY, RF Mosfet LDMOS 50 V 100 mA 960MHz ~ 1.215GHz 20dB 700W CDFM2
62 611 руб.
33Артикул:BLM10D3438-35ABZ
Описание:BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP, RF Mosfet LDMOS 26 V 41 mA 3.4GHz ~ 3.8GHz 33dB - 20-PQFN (8x8)
3 867 руб.
34Артикул:BLF184XRU
Описание:RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50 V 100 mA 108MHz 23.9dB 700W SOT1214A
28 695 руб.
35Артикул:BLF2425M9L30U
Описание:RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A, RF Mosfet LDMOS 32 V 20 mA 2.45GHz 18.5dB 30W CDFM2
22 398 руб.
36Артикул:BLP10H610AZ
Описание:

RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50 V 60 mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON (6x5)

3 989 руб.
Показать еще

Компания Ampleon – поставщик уникальных транзисторов, созданных на базе революционной технологии Advanced Rugged. Эти приборы предназначены для работы в широчайшем диапазоне частот до 650 МГц и используются в составе оборудования генерации плазмы, лазерных установок, медицинской диагностической техники (МРТ).

Логотип

Фирма основана в 2015 году. В штате числится 1650 человек, обслуживающих локации по всему миру. Портфель инновационных решений заинтересует любого разработчика инфраструктуры 4G и 5G, навигационных, исследовательских, вещательных и радиотехнических приложений. Компания Ampleon, включая заводы, имеет сертификаты ISO9001, ISO45001 и ISO14001.

Каталог Ampleon содержит следующие позиции: транзисторы широкополосного доступа, импульсные радары для авионики, усилители мощности, полупроводники для ТВ-вещания. Эти высокотехнологичные устройства нашли самое широкое применение в сфере радионавигации, беспроводной связи, телевизионной и радиотрансляции, медицины, физических исследований, индустриального отопления, лазерной техники.

Одна из последних новинок, презентованных в сентябре 2022 года в Милане в рамках Европейской недели микроволновых технологий, – GaN-транзистор, созданный для достижения пиковой выходной мощности свыше 700 Вт. Оптимально подойдёт для радаров с большой шириной импульса.

Штаб-квартира: Неймеген, Нидерланды.

Не нашли то, что искали?

Оставьте своё имя и номер телефона, и наш менеджер свяжется с вами в течение 15 минут

Ваша заявка принята