г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BLF1046 Ampleon

Артикул
BLF1046
Бренд
Ampleon
Описание

RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F, RF Mosfet LDMOS 26 V 300 mA 1GHz 14dB 45W SOT467C

Цена
11 643 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Image
files/BLF1046.jpg
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Supplier Device Package
SOT467C
Voltage - Rated
65 V
Current - Test
300 mA
Power - Output
45W
Transistor Type
LDMOS
Gain
14dB
Noise Figure
-
Current Rating (Amps)
1µA
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
1
Series
BLF
Package
Bulk
Part Status
Active
Frequency
1GHz
Package / Case
SOT-467C
RoHS Status
Not applicable
ECCN
EAR99
Other Names
REIBLF1046,2156-BLF1046
Voltage - Test
26 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BLF202,115
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET NCHA 40V 13DB SOT409A, RF Mosfet N-Channel 12.5 V 20 mA 175MHz 13dB 2W 8-CSMD
Подробнее
Артикул: BLF184XRU
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50 V 100 mA 108MHz 23.9dB 700W SOT1214A
Подробнее
Артикул: BLF242,112
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET NCHA 65V 16DB SOT123A, RF Mosfet N-Channel 28 V 10 mA 175MHz 16dB 5W CRFM4
Подробнее
Артикул: BLF177R
Бренд: Ampleon
Описание: HF/VHF POWER VDMOS TRANSISTOR (, RF Mosfet N-Channel 50 V 700 mA 108MHz 19dB 150W SOT121B
Подробнее
Артикул: BLF978PU
Бренд: Ampleon
Описание: BLF978P/SOT539/TRAY, RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50 V 50 mA 700MHz 24.5dB 1200W SOT539A
Подробнее
Артикул: BLF278
Бренд: Ampleon
Описание: RF PFET, 2-ELEMENT, VERY HIGH FR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее