г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated

Артикул
DMN1006UCA6-7
Бренд
Diodes Incorporated
Описание
MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) - - 2.4W Surface Mount X3-DSN2718-6
Цена
146 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/DMN1006UCA6-7.jpg
Package / Case
6-SMD, No Lead
Supplier Device Package
X3-DSN2718-6
Power - Max
2.4W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35.2nC @ 4.5V
Other Names
DMN1006UCA6-7-ND,DMN1006UCA6-7DICT,DMN1006UCA6-7DIDKR,DMN1006UCA6-7DITR
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
DMN1006
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2360pF @ 6V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: ZXMN4A06KTC
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3, N-Channel 40 V 7.2A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Подробнее
Артикул: MB1505
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A MB, Bridge Rectifier Single Phase Schottky 50 V QC Terminal MB
Подробнее
Артикул: DDTC143ZCA-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: RS1MB-13-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: DZ23C30-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER ARRAY 30V SOT23-3, Zener Diode Array 1 Pair Common Cathode 30 V 300 mW ±5% SOT-23-3
Подробнее
Артикул: SBR40U45CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ARRAY SBR 45V 20A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Super Barrier 45 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее