FDB33N25TM Fairchild Semiconductor
Артикул
FDB33N25TM
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, N-Channel 250 V 33A (Tc) 235W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Цена
146 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDB33N25TM.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2135 pF @ 25 V
FET Feature
-
FET Type
N-Channel
Power Dissipation (Max)
235W (Tc)
Supplier Device Package
D2PAK (TO-263)
Series
UniFET™
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-FDB33N25TM,FAIFSCFDB33N25TM
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут