FQA9P25 Fairchild Semiconductor
Артикул
FQA9P25
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, P-Channel 250 V 10.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FQA9P25.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET Feature
-
FET Type
P-Channel
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Supplier Device Package
TO-3P
Series
QFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
FAIFSCFQA9P25,2156-FQA9P25
Standard Package
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут