HGTG27N120BN Fairchild Semiconductor
Артикул
HGTG27N120BN
Бренд
Fairchild Semiconductor
Описание
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT NPT 1200 V 72 A 500 W Through Hole TO-247
Цена
751 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTG27N120BN.jpg
Power - Max
500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Test Condition
960V, 27A, 3Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 27A
Current - Collector Pulsed (Icm)
216 A
Switching Energy
2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Gate Charge
270 nC
Supplier Device Package
TO-247
Input Type
Standard
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
FAIFSCHGTG27N120BN,2156-HGTG27N120BN
Standard Package
1
Td (on/off) @ 25°C
24ns/195ns
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут