г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 72A 350W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Other Names
SP000100359,BSM50GD120DN2
Configuration
Full Bridge
Power - Max
350 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
BSM50GD120
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Package
Tray
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.3 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PSC71KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRFR2307Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BBY5302VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE TUNING 6V 20MA SC79, Varactors Single 6 V Surface Mount PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: T720N16TOFXPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCR MODULE 1800V 1500A DO200AB, SCR Module 1.8 kV 1500 A Single Chassis Mount DO-200AB, B-PUK
Подробнее
Артикул: IPP110N20N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3, N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее