г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 72A 350W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Other Names
SP000100359,BSM50GD120DN2
Configuration
Full Bridge
Power - Max
350 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
BSM50GD120
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Package
Tray
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.3 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF300R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7341TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFSL17N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 16A TO262, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BSA223SP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 390MA SC75, P-Channel 20 V 390mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount PG-SC-75
Подробнее
Артикул: IRF3711PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB, N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF1200R12KE3NOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 5000W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 5000 W Chassis Mount Module
Подробнее