FF1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies
Артикул
FF1200R12KE3NOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 5000W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 5000 W Chassis Mount Module
Цена
82 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF1200R12KE3NOSA1.jpg
Other Names
FF1200R12KE3-ND,FF1200R12KE3,SP000100572
Configuration
2 Independent
Power - Max
5000 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
2
HTSUS
8541.29.0095
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Input Capacitance (Cies) @ Vce
86 nF @ 25 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут