г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFN27E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PNP 300V 0.2A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 200 mA 100MHz 360 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
10 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BFN27E6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFN27
Other Names
BFN27E6327,BFN 27 E6327CT-ND,BFN 27 E6327TR-ND,BFN 27 E6327CT,BFN 27 E6327DKR,BFN 27 E6327,SP000014782,BFN27E6327HTSA1CT,BFN27E6327HTSA1DKR,BFN27E6327XT,BFN 27 E6327DKR-ND,BFN 27 E6327-ND,BFN27E6327HTSA1TR
Power - Max
360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 30mA, 10V
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC20S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 19A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 19 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSZ110N06NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON, N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: FP25R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FP25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BSZ088N03MSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: IRF9540NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB, P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC0901NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON, N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее