г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GP120BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 50A, IGBT Module - 3 Phase Inverter 1200 V 80 A Chassis Mount Module
Цена
44 024 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/BSM50GP120BOSA1.jpg
Base Product Number
BSM50GP120
Other Names
BSM50GP120,BSM50GP120-ND,SP000100379
Configuration
3 Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Input
Three Phase Bridge Rectifier
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.55V @ 15V, 50A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
500 µA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
HTSUS
8541.29.0095
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.3 pF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9358TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFS3004-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: FF400R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2000W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 580 A 2000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSC150N03LDGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Подробнее
Артикул: IRFU1205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 44A IPAK, N-Channel 55 V 44A (Tc) 107W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее