г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
F475R12KS4B11BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 100A 500W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 100 A 500 W Chassis Mount Module
Цена
713 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/F475R12KS4B11BOSA1.jpg
Other Names
F4-75R12KS4_B11,SP000724906,F4-75R12KS4_B11-ND
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.75V @ 15V, 75A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
F475R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
5.1 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ100N06LS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON, N-Channel 60 V 11A (Ta), 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: FF400R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2000W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 580 A 2000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCW61CE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BSC0504NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON, N-Channel 30 V 21A (Ta), 72A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: BFR182E-6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF N-CHANNEL MOSFET, RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: IRFR9024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A DPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее