г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
F475R12KS4B11BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 100A 500W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 100 A 500 W Chassis Mount Module
Цена
713 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/F475R12KS4B11BOSA1.jpg
Other Names
F4-75R12KS4_B11,SP000724906,F4-75R12KS4_B11-ND
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.75V @ 15V, 75A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
F475R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
5.1 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R040CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3, N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRLSL3036PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO262, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRFB4620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF5210L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 40A TO262, P-Channel 100 V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRGB4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFR6215TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее