г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSB014N04LX3GXUMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSB014N04LX3GXUMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16900 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Other Names
BSB014N04LX3 GCT-ND,BSB014N04LX3GXUMA1TR,BSB014N04LX3 GDKR,BSB014N04LX3 G,BSB014N04LX3 GCT,BSB014N04LX3GXUMA1CT,BSB014N04LX3 GTR-ND,BSB014N04LX3GXUMA1DKR,SP000597850,BSB014N04LX3 GDKR-ND,BSB014N04LX3 G-ND
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
5,000
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-WDSON
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS225R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 325A 1150W, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 325 A 1150 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: BCV49H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR AF SOT89-4, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 150MHz 1 W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: AUIRF1010ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRG4RC20F
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 22A 66W DPAK, IGBT - 600 V 22 A 66 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FS100R12KE3_B3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 140A 480W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 140 A 480 W Chassis Mount Module
Подробнее