г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKP15N60TXKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKP15N60TXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 30A 130W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 30 A 130 W Through Hole PG-TO220-3-1
Цена
419 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKP15N60TXKSA1.jpg
Other Names
IKP15N60T,SP000683064,IKP15N60T-ND
Test Condition
400V, 15A, 15Ohm, 15V
Power - Max
130 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
45 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 15A
Switching Energy
570µJ
Gate Charge
87 nC
Td (on/off) @ 25°C
17ns/188ns
Base Product Number
IKP15N60
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF5210STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSC037N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON, N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IPA60R800CEXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP, N-Channel 600 V 5.6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IPP052NE7N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3, N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BSC150N03LDGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Подробнее