г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFSL3806PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFSL3806PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 43A TO262, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-262
Цена
420 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFSL3806PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
71W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001571672
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Supplier Device Package
TO-262
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SI4410DYPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO, N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSP296NH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4, N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRFR9120NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSZ16DN25NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON, N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: BAR6405E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: FP75R12KT4B15BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 75A 385W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 75 A 385 W Chassis Mount Module
Подробнее