г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6894MTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF6894MTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET, N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF6894MTRPBF.jpg
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MX
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4160 pF @ 13 V
FET Feature
Schottky Diode (Body)
Package / Case
DirectFET™ Isometric MX
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 160A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF6894MTRPBFDKR,IRF6894MTRPBF-ND,IRF6894MTRPBFTR,IRF6894MTRPBFCT,SP001529334
Standard Package
4,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 54W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFI7536GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 86A TO220, N-Channel 60 V 86A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Подробнее
Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: FF900R12IP4BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 900A 5100W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 5100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF9358PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SPI07N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRF5810TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее