г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6894MTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF6894MTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET, N-Channel 25 V 32A (Ta), 160A (Tc) 2.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF6894MTRPBF.jpg
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MX
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4160 pF @ 13 V
FET Feature
Schottky Diode (Body)
Package / Case
DirectFET™ Isometric MX
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 160A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF6894MTRPBFDKR,IRF6894MTRPBF-ND,IRF6894MTRPBFTR,IRF6894MTRPBFCT,SP001529334
Standard Package
4,800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 54W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9332PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO, P-Channel 30 V 9.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFB7440PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 143W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SKW15N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IPA65R190CFDXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220, N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UDSTRRP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее